GD90輝光放電質譜儀

Autoconcept GD90是一個專為高(gao)精度(du)元素分析所設(she)計(ji)的高(gao)分辨(bian)輝光放電質譜儀。此輝光放電質譜儀（GDMS）提供了固體(ti)金屬與緣體(ti)的(de)直接分析檢測。它具(ju)有(you)非常寬的(de)元素覆蓋范圍，可(ke)得(de)到超過70種(zhong)元(yuan)素的有效數據，靈敏度(du)高，輕元(yuan)素重元(yuan)素均(jun)可。

    GDMS技術使原子化（碎片化）過(guo)程(cheng)與離子化過(guo)程(cheng)分開進行，故而(er)可容易的對ppb至ppt級別的痕量雜質進(jin)行測量。此(ci)法還(huan)使得(de)GDMS技術擁有 小的(de)基(ji)體(ti)效應且無(wu)須特定參(can)照材料。它可(ke)對(dui)(dui)金(jin)屬(shu)與合(he)金(jin)進行全掃描分析(xi)(xi)，可(ke)對(dui)(dui)半(ban)導體(ti)進行整體(ti)的(de)測量分析(xi)(xi)，可(ke)對(dui)(dui)多層結構(gou)與鍍層進行深度剖析(xi)(xi)。是(shi)包括金(jin)屬(shu)、合(he)金(jin)、半(ban)導體(ti)以及緣體(ti)（須配RF源）等高純材料的生產與質(zhi)量控制的理想工(gong)具(ju)。

GD90輝光放電質譜儀的主(zhu)要(yao)特(te)性：

·高分辨率，特別是對于有(you)干擾離子存在的測定而言十分重要。

·廣泛的元素(su)涵蓋(gai)范圍，軟(ruan)件(jian)中包括70個元素相關(guan)的干(gan)擾離子(zi)數據。

·由(you)于原(yuan)子化和離子化過程發生在(zai)不同(tong)區域，帶(dai)來可忽略的基(ji)體效(xiao)應。

·低至亞(ya)ppb級的(de)定量數(shu)據(ju)。

·具有深(shen)度剖面同位素比值分析(xi)能力。

· 少(shao)的樣(yang)品(pin)制備過程。

應用領域：

輝光放電(dian)質譜儀(yi)--AUTOCONCEPT GD90             ; 

半導體：

幾乎所有(you)的電子、光學與光電設備(bei)都需要高純度半導體(ti)。此類半導體(ti)的電學性質依賴于(yu)其(qi)中的雜質成(cheng)分(fen)。此類材料只有(you)達到低(di)的雜質水平(ping)才能保(bao)證終端(duan)產品(pin)（例如微處理(li)器與微型(xing)器件(jian)）的性能。

GDMS有助(zhu)于半導體(ti)(ti)的整(zheng)體(ti)(ti)調查(cha)分析(xi)，可(ke)對雜質進行(xing)定量鑒定，可(ke)達到痕量與超(chao)痕量水平。

核能：

在核技術與核研究中，科研人員對(dui)同(tong)位素比例進(jin)行精準的(de)(de)測量有著極大(da)的(de)(de)興趣。被廣泛接受的(de)(de)方法(fa)是熱電離質譜(TIMS)。在此方法中，樣(yang)品必須被溶(rong)解(jie)，需要在分析(xi)前對感興(xing)趣(qu)的分析(xi)物(wu)進行化學分離。

GDMS同樣被用(yong)于含核材料樣品的同位素鑒定。通過對比，GDMS被(bei)證明是(shi)在精準(zhun)度要求的前提(ti)下對B，Li以及U同位(wei)素豐度鑒(jian)定的優勢(shi)性(xing)技術。GDMS有著減少樣品制備過程的優(you)勢。

高純度(du)金屬:

在金屬與合(he)金的(de)大批(pi)量生(sheng)產過程中，痕(hen)量雜質的(de)總量不易控(kong)制。但為了控(kong)制其(qi)力學、化(hua)學、電學與其(qi)他高級性質，受控(kong)添加痕(hen)量元素以及提純過程都是減少材料雜質含量所需要的(de)。

GDMS有助于成(cheng)品中雜質(zhi)的(de)檢(jian)出(chu)與(yu)鑒定(ding)，以確保由此金屬制成(cheng)的(de)系(xi)統(tong)的(de)質(zhi)量與(yu)性(xing)能。

合金

合金與超合金試生(sheng)產高(gao)性能機械(xie)-例如(ru)渦(wo)輪(lun)機-的關鍵材料。由于此類機械通常在(zai)高溫高壓(ya)下運行，即使痕量元素成分發生輕(qing)微變化都有可(ke)能導(dao)致災難性(xing)后(hou)果(guo)。

GDMS在鑒定產品的元(yuan)素組成上非常(chang)理想，用(yong)以保證(zheng)機械系統的 優化性能(neng)。

輝光放電質(zhi)譜法(fa)作為一種固(gu)體樣品的直接(jie)分(fen)析(xi)方法(fa)，被認為是目前(qian)為止*的同時(shi)具(ju)有(you) 廣泛的分(fen)析(xi)元(yuan)素(su)范(fan)圍和足夠靈敏度的元(yuan)素(su)分(fen)析(xi)方法(fa)，已成(cheng)為固(gu)體材料(liao)多元(yuan)素(su)分(fen)析(xi)尤其是高純材料(liao)分(fen)析(xi)的強(qiang)有(you)力的工具(ju)。直接(jie)對固(gu)體進行分(fen)析(xi)避(bi)免了將固(gu)體轉化成(cheng)溶(rong)(rong)液時(shi)因在溶(rong)(rong)解(jie)、稀(xi)釋(shi)等過(guo)程中造成(cheng)的玷(dian)污和靈敏度降低，而且該方法(fa)對樣品的分(fen)析(xi)面積(ji)大，所得(de)數據結果有(you)好的代表(biao)性。

優勢分析應用領域： 

 金屬及合金材料

包括(kuo)高純金屬，濺射靶材，稀(xi)貴金屬，超級合金等材料(liao)的(de)痕量(liang)雜質的(de)半(ban)定量(liang)和(he)定量(liang)分析，同時可分析C、N、O等輕元素。 

 半導體材料

包括硅片(pian)，CdTe，GaAs及其(qi)他多種高純(chun)電(dian)子(zi)材料(liao)的雜質(zhi)分析。 

 無(wu)機非(fei)金(jin)屬(shu)材(cai)料

包括陶(tao)瓷粉(fen)末，玻璃(li)，稀土氧化物等材料(liao)分析。 

薄層(ceng)分析(xi)，深度分布剖面分析(xi)等